Osiągnięcia
Nagrody i wyróżnienia:
A.K.Dębowska – Praca badawcza „Podłoża do hodowli neuronalnych z monitorowaniem stanu hodowli przez czujniki światłowodowe” nagrodzona Diamentowym Grantem 2014.
M.Szymańska – Wyróżnienie w czasie XII Krajowej Konferencji Elektroniki ( 10-13.06.2013r. , Darłówko Wschodnie) w ramach sesji tematycznej „Materiały i technologie elektroniczne” za plakat: „Wyznaczanie twardości warstw azotku krzemu i DLC wytworzonych metodą RF PECVD”.
A.Taube – Umieszczenie na liście „EDS Golden List of reviewers” – najbardziej wartościowych recenzentów czasopisma naukowego IEEE Electron Device Letters w 2012 roku.
A.Krysiński - Wyróżnienie w czasie XI Krajowej Konferencji Elektroniki ( 11-14.06.2012r. , Darłówko Wschodnie) w ramach sesji tematycznej „Elementy Elektroniczne” za plakat: ”Technologia i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)”
A.Taube - Wyróżnienie podczas sesji specjalnej projektu InTechFun w czasie XI Krajowej Konferencji Elektroniki ( 11-14.06.2012r. , Darłówko Wschodnie) za plakat: „Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN– wpływ przewodności cieplnej podłoża”.
M.Szymańska - Stypendium Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w roku 2012.
A.Taube - I nagroda w XXXVI konkursie im. profesora Mieczysława Pożaryskiego na najlepsze prace opublikowane w czasopismach naukowo-technicznych Stowarzyszenia Elektryków Polskich w 2011 r. za artykuł „Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu”, opublikowany w numerze 9 „Elektroniki” (autorzy: A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt).
A.Taube - Stypendium Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w roku 2010 i 2011.
Publikacje:
A.Krysiński, A.Taube, K.Gołaszewska, M.Śmietana, R.Mroczyński, J.Szmidt: „Technologia i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)” – Przegląd Elektrotechniczny 88 (11 B) , pp. 1-4 (2012)
A.Taube, R.Mroczyński, K.Korwin-Mikke, S.Gierałtowska, J.Szmidt, A.Piotrowska: „Effect of the post-deposition annealing on electrical characteristics of MIS structures with HfO2/SiO2 gate dielectric stacks” – Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 177 (15) , pp. 1281-1285 (2012)
A.Domanowska, M.Miczek, R.Ucka, M.Matys, B.Adamowicz, J.Żywicki, A.Taube, K.Korwin-Mikke, S.Gierałtowska, M.Sochacki: „Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures” – Applied Surface Science 258 (21) , pp. 8354-8359 (2012)
R.Mroczyński, A.Taube, S.Gierałtowska, E.Guziewicz, M.Godlewski: „Application of deposited by ALD HfO2 and Al2O3 layers in double-gate dielectric stacks for non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices” Applied Surface Science 258 (21) , pp. 8366-8370 (2012)
A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt :”Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN – wpływ przewodności cieplnej podłoża” – Elektronika, vol. LIII, nr. 9, str. 33-36 (2012).
A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt :”Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN” – Elektronika, vol. LIII, nr. 9, str. 37-40 (2012).
R.Kruszka, K.Gołaszewska, A.Taube, Z.Sidor, M.Borysiewicz, Z.B. Żytkiewicz, E.Kamińska, A.Piotrowska: „Kontrolowane trawienia plazmą BCl3/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN” – Elektronika, vol. LIII, nr. 9, str. 20-25 (2012).
A.Łaszcz, A. Czerwinski, J.Ratajczak, A.Taube, S. Gierałtowska, A.Piotrowska, J.Kątcki: „Study of oxides formed in HfO2/Si structure for high-k dielectric applications ” – Solid State Phenomena 186 , pp. 78-81 (2012)
M.Szymańska, R. Mroczyński, M. Kalisz: „Charakteryzacja warstw azotku krzemu (SiNx) wytwarzanego metodą PECVD dla zastosowań w przyrządach M(O)EMS” – Przegląd Elektrotechniczny 88 (11 B) , pp. 25-29 (2012)
A.Taube, R.Kruszka, M.Borysiewicza, S.Gierałtowska, E.Kaminska, A.Piotrowska: „High Quality Gate Insulator/GaN Interface for Enhancement-Mode Field Effect Transistor” – Acta Physica Polonica A, Vol. 120 No. 6-A, A22-A24 (2011).
R.Kruszka, K.Gołaszewska-Malec, A.Taube, I.Pasternak, K.Korwin-Mikke, M.Wzorek, E.Kamińska, A.Piotrowska: „Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego”, Elektronika, vol. LII, nr. 9, str. 91-94 (2011).
A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt: „Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu”, Elektronika, vol. LII, nr. 9, str. 45-49 (2011).
A.Domanowska, A.Klimasek, E.Lisiecka, P.Bidziński, B.Adamowicz, J.Szewczenko, A.Taube, K.Korwin-Mikke, S.Gierałtowska, J.Żywicki: „Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera”, Elektronika, vol. LII, nr. 9, str. 63-66 (2011).
A.Taube, K.Korwin-Mikke, TGutt, TMałachowski, I.Pasternak, M.Wzorek, A.Łaszcz, M.Płuska, W.Rzodkiewicz, A.Piotrowska, S.Gierałtowska, M.Sochacki, R.Mroczyński, E.Dynowska, J.Szmidt: „Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w wegliku krzemu”, Elektronika, vol. LII, nr. 9, str. 117-120 (2011).
A.Taube, S.Gierałtowska, T.Gutt, T.Małachowski, I.Pasternak, T.Wojciechowski, W.Rzodkiewicz, M.Sawicki, A.Piotrowska : „Electronic Properties of Thin HfO2 Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC”, Acta Physica Polonica A, vol. 119, nr. 5, 696-698 (2011)
P.Firek, A.Taube, J. Szmidt: „Influence of annealing on properties of barium titanate thin films” – Elektronika, vol. LII, nr. 2, str. 31-33 (2011).
A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt: „Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H – SiC” – Elektronika, vol. L, nr. 6, str. 20-25 (2009)
Ponadto członkowie koła corocznie biorą udział w kilku konferencjach naukowych krajowych i międzynarodowych np.: Krajowa Konferencja Elektroniki, International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics, International School and Conference on the Physics of Semiconductors, International Workshop on Semiconductor Surface Passivation (SSP) i wiele innych.
