Projekty
W 2015 roku koło zrealizowało projekt pod tytułem:
Nanowarstwowe modyfikacje funkcjonalności ekranu urządzeń mobilnych.
Projekt skupia się na modyfikacji powierzchni ekranu smartfona poprzez nanoszenie nanowarstw o wysokim współczynniku załamania światła. Wyorzystywane są cienkie warstwy o wysokim współczynniku załamania światła (ang. High Refractive Index, HRI), które stosowane są przy wytwarzaniu czujników optycznych. Proponowane rozwiązanie pozwala na rozszerzenie funkcjonalności urządzenia pod kątem sensoryki, a z drugiej strony na projektowanie spersonalizowanych grafik wzbogacających design naszego telefonu.
W 2013 roku Koło Naukowe Mikroelektroniki i Nanoelektroniki zrealizowało grant rektorski na realizację projektu pt.
„Rezystywne nieulotne pamięci nowej generacji oparte o tlenki metali
przejściowych”
Głównym celem tej pracy było opracowanie technologii i charakteryzacja elektryczna struktur pamięci ReRAM (ang. Resistive Random Access Memory) opartych o warstwy tlenków metali przejściowych. Struktury te zostały wykonane w laboratorium technologicznym o podwyższonej czystości typu clean-room znajdującym się w Instytucie Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej.
Struktura pamięci ReRAM (a) oraz charakterystyki prądowo-napięciowe pamięci ReRAM o unipolarnym (b) i bipolarnym (c) trybie przełączania [1].
W ramach projektu opracowano technologię wytwarzania i charakteryzacji struktur pamięciowych typu ReRAM (Resistive Random Access Memory) opartych o tlenki metali przejściowych. Wykorzystując technikę rozpylania magnetronowego wytworzono cienkie warstwy tlenku hafnu oraz tlenku tytanu. Podczas procesów osadzania zmieniano koncentrację tlenu, która ma kluczowe znaczenie jeśli chodzi o właściwości przełączające wykonanych struktur pamięciowych.
Zdjęcie wykonanych struktur MIM Ni/HfOx/Ni.
Charakteryzacja elektryczna wykazała, że warstwy tlenku tytanu w układzie struktur MIM Ni/TiOx/Ni oraz TiN/TiOx/Ti nie wykazują właściwości pamięciowych. W przypadku struktur TiN/HfOx/Ti również nie otrzymano przyrządów wykazujących właściwości pamięciowe. Z sukcesem wytworzono natomiast struktury MIM Ni/HfOx/Ni, które mogą służyć jako pamięć typu ReRAM. Bardzo ciekowym wynikiem było uzyskanie dwóch różnych typów pracy pamięci w zależności od koncentracji tlenu w procesie osadzania warstw tlenku hafnu. Warstwy osadzone przy 60% koncentracji tlenu w procesie osadzania wykazywały unipolarny tryb pracy, natomiast warstwy osadzone przy 20% koncentracji tlenu wykazywały bipolarny tryb pracy.
Charakterystyki prądowo napięciowe pamięci ReRAM przedstawiające – bipolarny tryb pracy (rys. po lewej) oraz unipolarny tryb pracy (rys. po prawej).
[1] H.-S. Philip Wong et al „Metal–Oxide RRAM”, Proceedings of the IEEE, 100, No. 6, June 2012
Zrealizowane projekty:
2011 – „Opracowanie technologii i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)”
2010 – „Opracowanie programu do automatyzacji pomiarów prądowo-napięciowych (I-V)”
2009 – „Badanie wpływu temperatury wygrzewania na właściwości elektrofizyczne cienkich warstw tytanianiu baru”
2008 – „Badanie właściwości cienkich warstw diamentopodobnych (DLC) wytwarzanych technikami plazmowymi (RF PCVD) na włóknach światłowodowych”
2007 – „Wytwarzanie i właściwości warstw tytanianu baru domieszkowanych niobem”
2006 – „Właściwości elektryczne grubych warstw kubicznego azotku boru (c-BN) na podłożach krzemowych typu n <100>”
2005 – „Warstwy azotku boru (BN) wytwarzane z trójetyloboru (C2H5)3B metodą plazmy o częstotliwości radiowej (RF CVD) dla aplikacji mikroelektronicznych – analiza wpływu parametrów procesu na własności elektrofizyczne i skład syntezowanego materiału”
2003 – „Warstwy nanokrystalicznego azotku boru (c-BN) dla aplikacji mikroelektronicznych – wytwarzanie i charakteryzacja”
